詳細介紹了用于磷化硅電鍍的金材料的封堵技術(shù)

[文本]通過電鍍技術(shù)填充微孔的過程是以“倒裝”方式進行的，也就是說，在鍍銅過程中，微孔底部的銅沉積速度最快。但是，在制造IC封裝基板時，由于HDI和未來的三維結(jié)構(gòu)的要求，不僅需要填充微孔，而且還需要填充通孔。在任何情況下，通孔的幾何特性（形狀，結(jié)構(gòu)，尺寸等）總是與微通孔不同，這將不可避免地帶來液體（鍍液）的不同流動特性。文獻報告指出，對于微孔倒置的微孔來說，強制遷移（對流）是重要的物理因素，也就是說，強制遷移會強烈影響板的表面，而微孔的強烈（動態(tài)）沖擊是可以接受的底部是有限的。某些添加劑的化學(xué)作用取決于這種遷移關(guān)系是有意義的。因此，在電鍍過程中，強制遷移可以促進抑制劑在銅表面上的優(yōu)先吸附，從而可以通過調(diào)節(jié)電鍍液的流速來提高空穴填充性能和電鍍液的效果。從這個角度來看，由于孔的幾何形狀不同，用于填充微通孔的鍍液的成分與用于填充通孔的鍍液的成分不同。包含用于填充孔的促進劑的電鍍可以加快微孔底部的銅沉積速率，并且可以認為其遷移取決于吸附。這些電鍍方案可以稱為促進劑配方。對于“無底填充通孔”，不能使用含促進劑的配方（仍然值得商）），而不是無促進劑的配方，即用于通孔的銅沉積具有很強的抑制作用。藥劑的鍍液以形貌的電壓（電流密度）分布的方式被吸附，從而抑制劑的吸附濃度從孔口到孔的中心形成濃度差。在電鍍過程中，理想地建立了這樣的濃度差分布，并且最快的銅沉積速率將發(fā)生在孔的中心。在通孔電鍍中，沒有促進劑成分的填充機理是以吸附-消耗-擴散模式的改善（調(diào)整）為基本概念的。其中，要考慮帶正電荷的添加劑的遷移問題。實際上，由于許多帶有季銨鹽的流平劑會擠壓正電荷，因此當這種添加劑由于AFF的遷移而導(dǎo)致通孔中心（TH）具有堵塞孔的作用時，似乎也可以用于微通孔的孔填充效果。如果結(jié)果是這樣，則可以將AFF用于微型通孔和TH孔，以獲得連續(xù)的孔填充效果。下面，我們將回顧這項研究的可行性。 1實驗方法和實驗將CO2激光形成的微通孔和機械鉆孔形成的TH孔用作PCB電鍍樣品。 PCB樣品的大小是6厘米/厘米2。微通孔和TH孔的壁是化學(xué)鍍銅。要進行金屬化，然后進行銅電鍍，并在填充孔之前使銅鍍層的厚度達到2μm，m-3mu，m。使用兩種含磷的銅作為陽極，將其直接放入00ml浴中進行鍍銅。詳細討論了電鍍槽的情況。用于所有電鍍測試的基本電鍍液成分為0.88MCuSO45H2O，0.54MH2SO4，并且將其他添加劑（例如SPS，強抑制劑，PEG，聚集劑等）通過稀釋的儲備液添加到電鍍槽中。這些添加劑儲備溶液以適當?shù)臐舛戎苽?。通過光學(xué)顯微鏡使用微通孔和TH孔的橫截面（切面）來測量孔的填充性能。結(jié)果與討論已知吸附銅表面上的Cl-離子取決于電位。另外，Cl-離子的電勢依賴性吸附取決于整個溶液的濃度。當Cl-離子濃度低于20倍（10-6）時，只要整個陰極電勢高于特定值，PDA的行為即為Cl-離子從銅表面脫附的特征在于之間的排斥力負電荷和強負Cl。一旦Cl-離子濃度高于20倍（10-6），則CuCl容易在銅表面形成，然后PDA就會消失。